个人简介

赵梅，博士，讲师，2021年博士毕业于电子科技大学物理学院，同年入职温州大学化学与材料工程学院。主要从事半导体相关光电材料及器件方向的研究，包括二维半导体及其异质结的可控制备、光电特性表征、光电器件性能测试分析。目前为止，已在Adv. Funct. Mater.，Nano-Micro Lett.，Nano Res.，J. Mater. Chem. C等发表多篇SCI论文，授权中国发明专利3项。

受教育经历

2017-09 至 2021-12，电子科技大学，物理学，博士

2014-09 至 2017-06，温州大学，化学，硕士

2010-09 至 2014-06，河南农业大学，化学生物学，学士

研究工作经历

2022年01月-至今，温州大学，化学与材料工程学院，讲师

研究方向

微纳光电子材料与器件应用

代表性论文

[1] Mei Zhao, Jianwei Su, Yang Zhao, Peng Luo, Fakun Wang, Wei Han, Yuan Li, Xiaotao Zu, Liang Qiao, Tianyou Zhai.  Sodium-mediated epitaxial growth of 2D ultrathin Sb2Se3 flakes for broadband photodetection. Advanced Functional Materials, 2020, 30, 1909849.

[2] Lijuan Niu, Yuyin Li, Mei Zhao, Zhenjing Liu, Mengjia Zhang, Changchun Ding, Zhenjun Dou, Yihong She, Kenan Zhang, Zhengtang Luo, Lijie Zhang, and Shun Wang; Van der Waals template-assisted low-temperature epitaxial growth of 2D atomic crystals. Advanced Functional Materials, 2022, 2202580.（co-first author）

[3] Mei Zhao, Sijie Yang, Kenan Zhang, Ping Chen, Sanjun Yang, Yang Zhao, Xiang Ding, Yinghe Zhao, Yuan Li, Xiaotao, Zu, Liang Qiao, Tianyou Zhai. A universal atomic substitution conversion strategy towards synthesis of large-size ultrathin nonlayered two-dimensional materials. Nano-Micro Letters, 2021, 13, 165.

[4] Mei Zhao, Wenting Zhang, Manman Liu, Chao Zou, Keqin Yang, Yun Yang, Youqing Dong, Lijie Zhang, Shaoming Huang. Interlayer coupling in anisotropic/isotropic van der Waals heterostructures of ReS2 and MoS2 monolayers. Nano Research, 2016, 9, 3772-3780.

[5] Mei Zhao, Manman Liu, Youqing Dong, Chao Zou, Keqin Yang, Yun Yang, Lijie Zhang, Shaoming Huang. Epitaxial growth of two-dimensional SnSe2/MoS2 misfit heterostructures. Journal of Materials Chemistry C, 2016, 4, 10215-10222.

[6] Mei Zhao, Lijie Zhang, Manman Liu, Youqing Dong, Chao Zou, Yue Hu, Keqin Yang, Yun Yang1, Hao Zeng, Shaoming Huang. Growth of atomically thin MoS2 flakes on high-k substrates by chemical vapor deposition. Journal of Materials Science. 2018, 53, 4262-4273.

专利

1. 张礼杰，赵梅，董幼青，邹超，黄少铭；“基于高k栅介质的大面积二硫化钼场效应晶体管及其制备”，中国发明专利，公开号：CN106910776B。

2. 乔梁，赵梅，赵洋；“一种二维硫化铋晶体材料及其制备方法”，中国发明专利，公开号：CN111876828A。

3. 乔梁，赵洋，赵梅；“一种生物质多孔碳纳米泡沫的制备方法及其应用”，中国发明专利，公开号：CN111847451A。

奖励荣誉

无

学术任职

无

项目

无